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{{noteTA |G1=IT }} {{記憶體類型}} '''动态随机存取存储器'''('''Dynamic Random Access Memory''','''DRAM''')是一种[[半导体]][[記憶體]],主要的作用原理是利用[[電容]]內儲存[[電荷]]的多寡來代表一個[[二进制]][[位元]](bit)是1還是0。由於在現實中電晶體會有漏電電流的現象,導致電容上所儲存的電荷數量並不足以正確的判別資料,而導致資料毀損。因此對於DRAM來說,周期性地充電是一個不可避免的条件。由於這種需要定時刷新的特性,因此被稱為「動態」記憶體。相對來說,靜態記憶體([[静态随机存取存储器|SRAM]])只要存入資料後,縱使不刷新也不會遺失記憶。 與SRAM相比,DRAM的優勢在於結構簡單——每一個位元的資料都只需一個電容跟一個[[電晶體]]來處理,相比之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體。正因這緣故,DRAM擁有非常高的密度,單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的,DRAM也有存取速度较慢,耗电量较大的缺點。 與大部分的[[隨機存取記憶體]](RAM)一樣,由於存在DRAM中的資料會在電力切斷以後很快消失,因此它屬於一種[[揮發性記憶體]](volatile memory)設備。 == 工作原理 == [[File:square array of mosfet cells read.png|缩略图|左|250px|DRAM读操作举例,在简单的4x4矩阵上]] DRAM通常以一个[[电容]]和一个[[電晶體]]为一个单元排成二维矩阵,左图所示是一个4×4的矩阵。基本的操作機制分為讀(Read)和寫(Write),讀的時候先讓Bitline(BL)先充電到操作電壓的一半,然後再把電晶體打開讓BL和電容產生電荷共享的現象,若內部儲存的值為1,則BL的電壓會被電荷共享抬高到高於操作電壓的一半,反之,若內部儲存的值為0,則會把BL的電壓拉低到低於操作電壓的一半,得到了BL的電壓後,在經過放大器來判別出內部的值為0和1。寫的時候會把電晶體打開,若要寫1時則把BL電壓抬高到操作電壓使電容上儲存著操作電壓,若要寫0時則把BL降低到0伏特使電容內部沒有電荷? == 相關條目 == <div style="overflow:hidden"> * [[記憶體]] * [[挥发性记忆体]] * [[靜態隨機存取記憶體]] * [[動態隨機記憶體價格操縱]] * [[SDRAM]] ** [[DDR SDRAM]] ** [[DDR2 SDRAM]] ** [[DDR3 SDRAM]] ** [[DDR4 SDRAM]] ** [[DDR5 SDRAM]] </div> {{DRAM}} [[Category:電腦記憶體]] [[Category:集成电路]]
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