氯化亚铊

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氯化亚铊
IUPAC名
Thallium(I) chloride
别名 氯化铊,一氯化铊
识别
CAS号 7791-12-0  ✓
PubChem 24642
ChemSpider 23044
SMILES
InChI
InChIKey GBECUEIQVRDUKB-REWHXWOFAE
ChEBI 37117
性质
化学式 TlCl
摩尔质量 239.82 g·mol⁻¹
外观 白色晶体
气味 无味
密度 7.004 g/cm3 (20 °C)
熔点 430 °C(703 K)
沸点 720 °C(993 K)
溶解性 0.29 g/100 mL (15.5 °C)
0.318 g/100 mL (20 °C)
2.41 g/100 mL (100 °C) [1]
溶解性 难溶于乙醇丙酮氨水
折光度n
D
2.247
危险性
警示术语 R:R26/28, R33, R51/53
安全术语 S:S1/2, S13, S28, S45, S61
欧盟分类 剧毒(T+)
对环境有害(N)
致死量或浓度:
LD50中位剂量
24 mg/kg(小鼠,口)
相关物质
其他阴离子 氟化亚铊
溴化亚铊
碘化亚铊
其他阳离子 三氯化铊
若非注明,所有数据均出自一般条件(25 ℃,100 kPa)下。

氯化亚铊,又称氯化铊(I),是一种无机化合物,化学式为TlCl。氯化亚铊和氯化银相似,遇光会变暗或变紫[2],但不同的是,氯化亚铊在氨水中不溶解[3]

制备

氯化亚铊可以由硝酸亚铊硫酸亚铊盐酸反应得到:

Tl2SO4 + 2 HCl → 2 TlCl↓ + H2SO4

产物经水洗涤后,在热水中重结晶来提纯。[4]

铊和盐酸的反应也能得到氯化亚铊:

2 Tl + 2 HCl → 2 TlCl + H2

但氯和铊化合可以生成氯化亚铊,也能生成三氯化铊。[5]

物理性质

氯化亚铊微溶于水。它在室温下为氯化铯晶型[6],降温后转变为单斜晶系碘化铊晶型。相变温度受到杂质影响[7][8][9]

化学性质

氯化亚铊可以被氢气还原为单质。在120℃和反应、在熔点时和反应,均被还原为金属[3]

氯化亚铊和硫化物反应,产生硫化亚铊[10]

2 TlCl + H2S = Tl2S + 2 HCl
2 TlCl + (NH4)2S = Tl2S + 2 NH4Cl

用途

放射性201Tl标记的氯化亚铊注射液可用于缺血性心脏病的诊断。[11]

参考资料

  1. Pradyot Patnaik. Handbook of Inorganic Chemicals. McGraw-Hill, 2002, ISBN 0-07-049439-8
  2. 朱文祥 编. 无机化合物制备手册. 化学工业出版社, 2006. pp 468. 【XIII-170】氯化铊(Ⅰ) [thallium(I) chloride]
  3. 3.0 3.1 顾学民等. 无机化学丛书. 第二卷 铍 碱土金属 硼 铝 镓分族. 科学出版社, 2011: 496
  4. 日本化学会编. 曹惠民译. 无机化合物合成手册. 第一卷. 北京:化学工业出版社, 1983: 10
  5. 元素化学反应手册. 湖南教育出版社, 1998. 第三章 周期系ⅢA族元素. 第五节 铊. pp 299, 301
  6. Holleman, A. F.; Wiberg, E. "Inorganic Chemistry" Academic Press: San Diego, 2001. ISBN 0-12-352651-5.
  7. M Blackman et al "The Polymorphism of Thallium and Other Halides at Low Temperatures" Proc. Phys. Soc. 77 (1961) 471
  8. A-V Mudring "Thallium Halides - New Aspects of the Stereochemical Activity of Electron Lone Pairs of Heavier Main-Group Elements" Eur. J. Inorg. Chem. 6 (2007) 882[永久失效链接]
  9. R. P. Lowndes and C. H. Perry "Molecular structure and anharmonicity in thallium iodide" J. Chem. Phys. 58, 271 (1973)
  10. 曹忠良 王珍云. 《无机化学方程式手册》. 湖南科学技术出版社, 1985. pp 162. 【TlCl】
  11. 孙祺薰 张炯 谢德峰等. 放射性氯化铊(~(201)Tl)注射液的临床前药理研究[J]. 核技术. 1986(4)